甘南藏族自治州中國國際集成電路產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用博覽會（IC Expo2025）

站在"十四五"規(guī)劃收官之年的關(guān)鍵節(jié)點，我國半導體產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)從追趕型發(fā)展到創(chuàng)新引領(lǐng)型跨越的歷史性突破。隨著《國家集成電路創(chuàng)新發(fā)展推進綱要（2025）》的全面實施，3D堆疊芯片、光子集成電路、存算一體架構(gòu)等前沿技術(shù)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，2納米制程工藝進入試量產(chǎn)階段，標志著我國在全球半導體創(chuàng)新版圖中占據(jù)重要戰(zhàn)略地位。

根據(jù)工業(yè)和信息化部最新數(shù)據(jù)顯示，2025年我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模預計突破2.1萬億元，本土企業(yè)市場占有率攀升至73.5%，較2024年提升4.5個百分點。在AI大模型訓練芯片、車規(guī)級碳化硅模塊、量子計算芯片等新興領(lǐng)域，華為昇騰、寒武紀、比亞迪半導體等企業(yè)已形成國際競爭力。值得關(guān)注的是，6G預研工程和百萬級智算中心的建設(shè)催生新型芯片需求，2025年數(shù)據(jù)中心芯片采購量同比激增58%。

技術(shù)演進層面呈現(xiàn)三大特征：一是異構(gòu)集成技術(shù)推動Chiplet生態(tài)成熟，國產(chǎn)UCIe標準實現(xiàn)商用；二是RISC-V架構(gòu)在工業(yè)控制領(lǐng)域滲透率突破40%，形成X86、ARM、RISC-V三足鼎立格局；三是"東數(shù)西算"工程帶動存力芯片需求，新型相變存儲器（PCM）量產(chǎn)成本下降37%。與此同時，歐盟碳關(guān)稅倒逼產(chǎn)業(yè)變革，國內(nèi)首條零碳半導體產(chǎn)線在蘇州投產(chǎn)，綠色半導體技術(shù)標準體系初步建立。

面對全球半導體供應(yīng)鏈重構(gòu)，我國已建成包含28個關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主可控產(chǎn)業(yè)鏈，12英寸晶圓廠國產(chǎn)設(shè)備配套率提升至72%。特別是在光刻膠領(lǐng)域，南大光電ArF光刻膠通過5納米工藝驗證，打破海外壟斷。政策層面，《半導體產(chǎn)業(yè)安全審查辦法》正式施行，建立技術(shù)"紅綠燈"清單管理制度，在開放合作中筑牢產(chǎn)業(yè)安全防線。

在此背景下，2025中國國際半導體博覽會（IC Expo 2025）以"芯動能·智變革"為主題，設(shè)立六大展區(qū)：

先進制程與特色工藝創(chuàng)新展區(qū)：展示2納米GAA晶體管、混合鍵合3D封裝等技術(shù)

智能計算芯生態(tài)展區(qū)：涵蓋大模型訓練芯片、類腦芯片、光子AI加速卡

車芯聯(lián)動專區(qū)：聚焦自動駕駛SoC、800V高壓IGBT模塊、車規(guī)級MCU

綠色制造示范區(qū)：呈現(xiàn)低碳晶圓廠解決方案、芯片級液冷技術(shù)

半導體材料裝備突破成果展：國產(chǎn)EUV光源系統(tǒng)、12英寸硅片最新進展

芯人才培育計劃：發(fā)布行業(yè)首個人工智能芯片設(shè)計人才培養(yǎng)標準

本屆展會特別設(shè)立"全球半導體供應(yīng)鏈對話機制"，吸引ASML、應(yīng)用材料等國際巨頭參與，共同探討建立彈性供應(yīng)鏈的可行路徑。同期發(fā)布的《中國半導體技術(shù)路線圖（2026-2030）》明確提出，將重點突破原子級制造、神經(jīng)擬態(tài)計算、硅基光電子等七大戰(zhàn)略方向，計劃建設(shè)3個國家級集成電路創(chuàng)新中心，推動形成"基礎(chǔ)研究-中試驗證-產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化"的全鏈條創(chuàng)新體系。

集成電路產(chǎn)品類：模擬集成電路、數(shù)/模混合集成電路，包括微處理器、存儲器、FPGA、分立器件、光電器件、功率器件、傳感器件等主流產(chǎn)品和技術(shù)。

集成電路制造類：芯片制造、封裝測試、半導體專用設(shè)備和材料。

集成電路應(yīng)用類：人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智能家居、智能終端、汽車電子、LED、健康醫(yī)療等智能化應(yīng)用類。

注：兩面開展位加收10%

中國電子第一大展－中國電子展

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